IGBT

• Spínání a vypínání je jako u MOSFETu

Bipolární struktury

• Pro největší výkony

DIAC

• Diode AC Switch
• pasivní bipolární spínací součástka využívající k sepnutí lavinový průraz struktury npn, tj díry generované lavinovým průrazem závěrně polarizovaného přechodu pn způsobí zvýšenou injekci elektronů emitovaných propustně polarizovaným přechodem pn a následné sepnutí.
• Může být třívrstvá či pětivrstvá struktura

Tyristor

• Struktura připomíná PiN diodu

Vypínací tyristory

• Používají hradlo k odsátí

Pouzdření výkonových součástek

• Dražší a komplikovanější než součástka
• SiC do 600 stupňů

Spínání

• OC/OD = open collector / drain
• LSS = low side switch
• OE/OS = open emmiter/source
• HSS = High side switch (source)
• Pozor, tranzistory bývají nechráněné!
• Spínání pomocí P mosu je nevhodné, mají malou pohyblivost. -> chce to velkou plochu na čipu.
• Test jestli se to projeví na wordpressu